常规的SLC单层芯片电容包括电容陶瓷基片、上表面电极和下表面电极，上表面电极和下表面电极分别置于电容陶瓷基片的两表面上，上表面电极和下表面电极都采用同一种金属电极制作，例如都采用银浆或都采用金浆制作。由于SLC单层芯片电容的电容陶瓷基片、上表面电极和下表面电极都是经过800℃以上温度烧结而成的，因此芯片电容实际使用时的耐温性能，通常是由其与应用的电路模块之间的焊接材料的耐温性能决定的。

常规的芯片电容邦定工艺，是用低温银胶将芯片电容的下表面电极贴于电路板上，并用打铝线、铜线或者金线方式将芯片电容的上表面电极与电路板上的焊盘连接起来。由于低温银胶的固化温度在100℃左右，固化后的银胶耐温温度不超过150℃，所以现有的芯片电容的耐温温度也不超过150℃，不能适应温度较高的工作环境。而锡膏回流焊工艺常用于焊接SMT贴片线路板，具有准确性高、高效、稳定可靠的优点。且与低温银胶相比，锡膏回流焊工艺焊锡的耐温温度可达260℃，因此锡膏回流焊应用在芯片电容邦定工艺中，可以明显提升芯片电容的耐热性能。

然而，常规的单层芯片电容在采用锡膏回流焊的邦定工艺及实际使用过程中，存在以下的问题：

银表面电极适合与铝线、铜线或金线进行邦定焊接，且焊接效果良好，但银表面电极采用锡膏回流焊技术焊接于电路板上时，存在银迁移现象，这会造成芯片的电气性能突变以及可靠性下降。为了解决上述技术问题，爱晟电子介绍一款复合电极SLC单层芯片电容，其适合回流焊和打线键合，其具有邦定效果好、耐高温、可靠性高、稳定性高的优点。这款芯片电容的上表面电极为银层，下表面电极由钛钨层、铜层和金层从内向外依次在电容陶瓷基片上层叠而成。

复合电极SLC单层芯片电容，其上表面电极用于打线键合，下表面电极用于邦定在电路板上。上表面电极的银层（Ag）是作为与电容陶瓷基片结合的基础层，能够与电容陶瓷基片形成有力的结合，且上表面电极的银层能够很好地与铝线、铜线或金线进行邦定焊接；下表面电极的钛钨层（TiW）与电容陶瓷基片结合，并作为过渡层，主要起过渡作用，使铜层与电容陶瓷基片更好地结合，同时具有阻挡作用；下表面电极的铜层（Cu）作为阻挡层，用于阻挡外界对过渡层的破坏，并具有焊接作用；下表面电极的金层（Au）既是焊接层，也是保护层，其稳定性高，可防止氧化、抗腐蚀、防破坏，防止银迁移，并有效地阻挡了锡膏回流焊接时焊锡渗透到银层中形成锡银合金和避免银迁移现象发生，从而防止焊接锡膏破坏银层。





参考数据：

CN109659134A《一种高可靠双面异质复合电极芯片电容》